氮化硅結合碳化硅磚涉及到的主要生產原料有：碳化硅、硅粉、氮氣等添加劑。不同于普通的氮化硅材料制品，氮化硅結合碳化硅磚所需要的原料必須具有更高的純度。碳化硅的純度應達到98.5%以上，硅粉的純度應達到99%以上，氮氣的純度應達到99.9%以上。除了原料的純度需要進行嚴格的控制以外，生產加工過程中還需要對原料的粒度和顆粒級配進行嚴格的控制。原料的粒度過高將會直接影響胚體成型的體積密度，造成胚體的致密性降低，影響最終的產品質量。在原料顆粒級配方面，要注意硅粉的粒度，硅粉的粒度控制可以確保硅粉與氮氣的反應效率，但是一味降低硅粉的粒度也會存在一定的負面影響，即硅粉于氮氣反應速率過快，劇烈的反應造成反應裝置中熱量集聚上升，一旦溫度超過1400℃時，會誘發碳化硅表面出現流硅現象，反而不利于產品的質量控制。另外，在氮化硅結合碳化硅磚的原料中加入ZrSio4可以起到改善產品抗氧化性的作用。
氮化硅結合碳化硅磚生產工藝中，需要加入臨時的結合劑，結合劑的加入主要有兩大功效，一是可以幫助原料之間融合實現均質體，改善原料顆粒表面的分散性，為胚體成型創建良好的條件；二是氮化硅結合碳化硅磚在干燥和燒成的工序中要面臨升溫的過程，而在高溫條件下，氮化硅結合碳化硅磚的臨時結合劑會分散，氣態物質揮發過程中給氮化硅結合碳化硅磚留下大量的網絡狀氣孔通道，不僅更有利于氮氣的充入，提高了硅粉和氮氣之間的反應效率，而且也能夠更有利于最終產品的穩定性。臨時結合劑主要有：有機糊精、木質素磺酸鈣以及德國司馬化工分散劑等，目前行業內對臨時結合劑的添加量質量百分比通常在5%以內。
目前氮化硅結合碳化硅磚的成型工藝主要有半干法成型和注漿成型兩大類。其中半干法成型因為生產效率較高的優勢應用更加普遍。在干燥工序中溫度和時間對產品質量有較大影響。溫度過低或時間過短，都會導致胚體中殘留水分，在后續的氮化反應過程中誘發硅粉的氧化反應，從而降低氮化反應效率，影響產品質量。溫度升高的快慢也會對產品質量造成影響。溫度升高太快不利于對高溫環境進行控制。過高的溫度會造成胚體表面出現裂紋。
氮化硅結合碳化硅磚的原料混煉成型后再氮化爐中高溫1400℃左右進行燒制，最終產品的質量和行難呢過與氮化反應的溫度有著緊密關系。在硅粉與氮氣發生反應的過程中，大致經歷兩個溫度段；首先是升溫階段，然后是原料的氮化反應階段。其中升溫階段裝置內的溫度由初始溫度升高至1100℃左右，而原料氮化硅反應階段的溫度在1100~1350℃。
